Die mit 100 x 140 mm sehr kompakten IGBT-Module im LV- und HV-100-Gehäuse von Mitsubishi sind dank ihrer vorteilhaften Eigenschaften bereits gut vom Markt angenommen worden.
Ihr niederinduktiver Gehäuseaufbau ist für schnelle IGBT- und erst recht Wide-Band­gap-FET-Schal­ter wichtig, um diese nicht auszubremsen und keine gefährlichen Überspannungen zu generieren.
Die klare Trennung von Steuer- und Leistungsseite vermeidet Übersprechen und vereinfacht den Gesamtaufbau. Die Isolation ist bis 4 kV beim LV100 und aktuell bis zu 6,5 kV, zukünftig bis zu 10 kV beim HV100 gewährleistet. Das Layout des LV100 ist mit kurzen Wegen und symmetrisch angelegt, sodass auch das Verschalten mehrerer Module ohne Probleme möglich ist. Ein weiterer Vorteil ist die Robustheit gegen Materialermüdung durch thermische Zyklen dank SLC-Technologie – die Ausdehnungskoeffizienten aller Materialien, auch des Vergussmaterials, sind an jene von Kupfer angepasst.
Der Betrieb des LV100 ist mit den aktuellen Silizium-basierenden Halbleitern bis zu 150 °C möglich. Bei Schaltfrequenzen im oberen kHz-Bereich zeigt das LV100-Ge­häu­se deutliche Vorteile, die somit die Möglichkeiten mit SiC-MOSFETs unterstützen. Diese bieten auch noch höhere Arbeitstemperaturen.