Zukunftssichere Lösung
Power
RECOM Power präsentiert den RxxC2T25, einen SMD-DC/DC-Wandler in einem SOIC‑Gehäuse, der
für eine verbesserte Effizienz bei höherer Ausgangsleistung für Automobil-, Industrie- und
Wechselrichteranwendungen sorgt. Für Elektrofahrzeuge (EVs) ist diese Verbesserung entscheidend,
um die Leistung und Reichweite durch effizientere Motorantriebe und schnellere Batterieladegeräte
zu erhöhen.
Für die Industrie ist eine verbesserte Effizienz von entscheidender Bedeutung für die Senkung des
weltweiten Energieverbrauchs und die Verbesserung der Nachhaltigkeit, weshalb der
Schwerpunkt derzeit auf den Effizienzvorteilen der DC-Microgrid-Technologie liegt. Im
Bereich der grünen erneuerbaren Energien fördern hohe Wirkungsgrade die Nutzung von
Photovoltaik, Wasser- und Windenergie, um ein Maximum an Energie aus den begrenzten
natürlichen Ressourcen zu gewinnen.
Dies stellt eine Herausforderung für Entwicklungsingenieure dar: Wie kann ich in einem Umfeld, das von ständigen Fortschritten in der Technologie der Leistungsschalttransistoren geprägt ist, meine Leistungsstufen zukunftssicher machen, damit sie die Vorteile dieser neuen Generationen nutzen können, ohne dass sie ständig neu entwickelt werden müssen?
Hohe Anforderungen an die Leistungselektronik
Um dieses wesentliche Effizienzziel zu erreichen, geht die Leistungselektronik zu höheren Schaltfrequenzen und Spannungen über, während sie gleichzeitig versucht, das Verhältnis zwischen Kosten und Leistung auszugleichen und die Gesamtgröße zu reduzieren (Abbildung 1). Ein solcher Übergang erfordert jedoch die Integration von Halbleiterbauelementen der nächsten Generation, wobei regelmäßig neue Iterationen von Leistungs-MOSFETs und SiCs und GaNs mit breitem Bandabstand auf den Markt kommen.Dies stellt eine Herausforderung für Entwicklungsingenieure dar: Wie kann ich in einem Umfeld, das von ständigen Fortschritten in der Technologie der Leistungsschalttransistoren geprägt ist, meine Leistungsstufen zukunftssicher machen, damit sie die Vorteile dieser neuen Generationen nutzen können, ohne dass sie ständig neu entwickelt werden müssen?
Abbildung 1: Eine höhere Schaltfrequenz führt zu kleineren Lösungen, aber die Wahl der
Transistortechnologie hängt von der Ausgangsleistung und den Kostenbeschränkungen ab.
IGBT sorgt für mehr Power, GaN ermöglicht kleinere Lösungen und SiC sorgt für mehr Power auf kleinerem Raum